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三星内存生产设备 涨价潮或要来临

关于三星内存工厂设备污染一事,更多的细节浮出水面。

光阴节点今朝有两种说法,上上周和数周前,地点据韩媒表露位于三星器兴(Giheung)工厂,事发缘故原由是8英寸晶圆临盆设备受到污染。

三星谈话人已经对外确认传言为真,但强调今朝临盆状况正常,这次意外的丧掉估计在10亿韩元阁下(约合601万元人夷易近币)。

不过,一些专家称,三星的实际丧掉远弘远年夜于这个数字,而且官方并未统计出来。

事实上,今年头?年月,三星的第一代1x nm内存也被在工厂阶段查出质量问题。

外界一方面担心三星半导体营业,别的预测这次意外会否滋扰到内存的价格走向。

资料弥补:器兴厂是三星的功劳DRAM工厂,昔时三星圣克拉拉团队逆向工程(参考美光)设计的256Kb DRAM便是在这里投产,采纳2微米工艺,奠定了代际冲破的基调,使得三星在1993年景为举世最大年夜存储器芯片厂商。

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